芯片生產(chǎn)廢水處理技術(shù)

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一． 芯片廢水來源：
 
集成電路芯片制造生產(chǎn)工藝復(fù)雜，包括硅片清洗、化學(xué)氣相沉積、刻蝕等工序反復(fù)交叉，生產(chǎn)中使用了大量的化學(xué)試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。
 
二． 芯片廢水分類
 
將生產(chǎn)廢水處理分為：含氨廢水處理系統(tǒng)、含氟廢水處理系統(tǒng)、CMP研磨廢水處理系統(tǒng)及酸堿廢水處理系統(tǒng)。
 
2.1 含氨廢水處理系統(tǒng)
 
含氨廢水有兩部分，一部分是濃氨氮廢水，主要含氨氮和雙氧水，氨氮濃度達(dá)400～1200mg/L;另一部分是稀氨廢水，主要含氟化氨，氨氮濃度低于100mg/L。
 
2.2 含氟廢水處理系統(tǒng)
 
工藝中采用CaCl2溶液代替?zhèn)鹘y(tǒng)去氟采用的消石灰，可減少氟化鈣污泥量、原料用量和堿液，同時，可避免粉態(tài)消石灰的逸散，防止管道堵塞，易于控制投加量，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定高效運(yùn)行。
 
2.3 CMP研磨廢水處理系統(tǒng)
 
研磨廢水處理與含氟廢水處理很相近，若從節(jié)省投資的角度考慮，可以采用同一系統(tǒng)同時處理含氟和CMP研磨兩股廢水，否則，將增加額外的投資。
 
三． 處理工藝
 
3.1 二級反應(yīng)+一級助凝十一級沉淀，系統(tǒng)出水氟離子濃度基本達(dá)到<Zomg/L要求;若增加一級沉淀，即用二級反應(yīng)+沉淀+一級反應(yīng)+沉淀的兩階段沉淀反應(yīng)，系統(tǒng)出水氟離子濃度可控制在10mg/L以下。
 
3.2 濃氨吹脫吸收工藝—含氟廢水兩階段沉淀工藝(含氟廢水與CMP研磨廢水混合處理)—三級酸堿中和處理工藝。

3.3 兩級反應(yīng)池、酸堿原液直接投加，運(yùn)行出水不穩(wěn)定且藥劑消耗量很大。
 
3.4反沖洗過濾器，是一種利用濾網(wǎng)直接攔截水中的雜質(zhì)，去除水體懸浮物、顆粒物，降低濁度，凈化水質(zhì)，減少系統(tǒng)污垢、菌藻、銹蝕等產(chǎn)生，以凈化水質(zhì)及保護(hù)系統(tǒng)其他設(shè)備正常工作的設(shè)備。經(jīng)反沖洗過濾器處理后的水質(zhì)不但達(dá)到了國家規(guī)定的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)反沖洗過濾器處理后的水源可重復(fù)、循環(huán)利用有效的節(jié)省了水資源。
 
四、芯片生產(chǎn)廢水嚴(yán)重的污染的水資源及環(huán)境，有效治理芯片生產(chǎn)廢水已刻不容緩。