學生公寓1~3棟施工組織設(shè)計74p

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第一章 工程概況
1．建設(shè)地點
本工程位于×××，×××的東北角。北面靠山，東面為丘陵山坡，南面為師
院東校區(qū)的教學區(qū)，再前面為324國道舊路，整個場地是山坡開挖推平，離教學
區(qū)和鄉(xiāng)村住宅均在500m外，空中和場地內(nèi)均無線管和古跡，是一個新開發(fā)的區(qū)
域。
2．工程規(guī)模
總建筑面積8140×3=24420m2，工程總占地面積1890×3=5670m2，建筑層數(shù)
為6層。
3．本工程主要建筑技術(shù)指標：建筑類別為二類，耐火等級為二級，設(shè)計
使用年限為50年，屋面防水等級為三級，按七度抗震烈度設(shè)防。結(jié)構(gòu)安全等級
為二級，結(jié)構(gòu)構(gòu)件的裂縫控制等級為三級，構(gòu)件耐火極限為：柱2.50h，梁1.50h，
板1.00h，主體結(jié)構(gòu)為磚混結(jié)構(gòu)。
4．工期及計劃開工日期：工期為257d，計劃開工日期為2003年 月 日。
第一節(jié) 建筑設(shè)計要求
本工程的三棟學生公寓樓的建筑設(shè)計相同，要求具體如下：
1．外墻：所有外墻均貼面磚。
2．內(nèi)墻：廁所、浴室貼瓷磚，高2000mm；其余內(nèi)墻用20mm厚M5混合砂
漿打底抹平，面層刮白色仿瓷膩子。
3．地面：廁所、浴室面鋪150×150防滑地磚；其余地面貼防滑釉面磚。
4．樓面：廁所、浴室面鋪150×150防滑地磚；其余各房間、樓梯間貼防滑
釉面磚。
5．頂棚：采用20mm厚M5混合砂漿打底抹平，面層刮白色仿瓷膩子。
6．門窗及油漆：門采用木門，窗采用鋁合金窗，白鋁，5mm厚白玻。所
有木門內(nèi)外面油漆為一底二面調(diào)合漆。
7．屋面：采用隔熱層，無保溫層的SBS改性瀝青卷材防水屋面。
第二節(jié) 結(jié)構(gòu)設(shè)計要求
1．基礎(chǔ)：1．東2棟采用鉆孔灌注樁，樁直徑700，樁、基礎(chǔ)承臺采用C25
混凝土，墊層采用C10混凝土。3棟采用M5水泥砂漿砌MU30毛石基礎(chǔ)及C20鋼
筋混凝土獨立基礎(chǔ)（放大腳部分混凝土為C25）。
2．上部結(jié)構(gòu)材料：主要采用磚混結(jié)構(gòu)，局部為框架結(jié)構(gòu)。鋼筋混凝土柱

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KZ1．KZ2采用C25混凝土，其余梁、柱、板為C20混凝土。
3．墻體：主要承重墻體為240mm厚，部分間隔墻為120mm厚，底層及二
層墻體用M10混合砂漿砌筑MU15多孔磚，三層以上各層采用M5混合砂漿砌
MU15多孔磚。
4．保護層厚度：樁基礎(chǔ)50mm，基礎(chǔ)梁35mm，地面以上柱30mm，梁25mm，
板15mm.
第三節(jié) 給排水設(shè)計要求
1．給水方式：水源由學院給水管網(wǎng)接來。
2．管材
（1）冷水給水管材：當管徑〈DN50mm時，采用PVC給水管，熱熔接，當
管徑〉DN70mm時，采用熱鍍鋅鋼管，螺栓連接。
（2）熱水給水管采用熱鍍鋅鋼管，螺栓連接。
（3）消防給水管采用熱鍍鋅鋼管，螺栓連接。
（4）排水管（除排水立管PL-29外）采用硬塑料排水管（PVC-U），零件
粘接，塑料排水立管每層設(shè)伸縮節(jié)一個。
（5）排水立管PL-29采用鑄鐵排水管，水泥接口。
（6）排水管，當管徑〉DN300mm時，采用鋼筋混凝土排水管。
第四節(jié) 電氣工程設(shè)計要求
1．電源VV22-1KV電纜穿鋼管埋地引入小區(qū)配電室，電壓380V/220V，三
相四線在首層配電屏處，零線重復接地，設(shè)專用保護線（PE），樓內(nèi)配電系統(tǒng)
采用TN-S接地方式。
2．總配電屏落地式安裝；電表箱明裝，高度1.2m；照明配電箱明裝，高
度1.6m；蹺板式開關(guān)，普通插座（P）明裝，高度1.5m；空調(diào)插座（K）明裝，
高度 2.2m ；風扇調(diào)速開關(guān)明裝，高度1.5m。
3．室內(nèi)配電線路采用銅心塑料線穿塑料線槽沿墻頂，明裝。
4．防雷及電氣保護接地共用一接地系統(tǒng)，利用地下基礎(chǔ)梁最下層主鋼筋
焊接成閉合電氣通路，作為水平接地極，并與樁柱鋼筋及作為防雷引下線柱位
內(nèi)鋼筋焊成電器通路，利用部分柱內(nèi)對角兩根主筋焊成垂直通路，作為引下線，
其上端與屋面避雷帶焊連，下端與水平地極焊連，經(jīng)過各層時與樓板鋼筋焊連，
并用40×4扁鋼焊接引至該層接地端子板焊牢，門窗及金屬構(gòu)件就近與端子板連
接，天面所有外露金屬物應(yīng)就近與避雷帶焊接。
5．接地系統(tǒng)的接地電阻要求不大于4Ω。