技術(shù)創(chuàng)新開啟綠色存儲(chǔ)時(shí)代

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　　技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)突破

　　三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，開創(chuàng)了內(nèi)存存儲(chǔ)器制造技術(shù)的新紀(jì)元。NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)成，而DRAM則由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管串聯(lián)構(gòu)成，因此后者更難實(shí)現(xiàn)制程技術(shù)的微細(xì)化。然而，三星電子通過對(duì)芯片設(shè)計(jì)和制程技術(shù)的改良，創(chuàng)新性地研發(fā)出改良版雙重照片曝光技術(shù)（Modified Double Patterning）和超薄介電層成型技術(shù)（Atomic layer deposition），順利實(shí)現(xiàn)了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。

　　改良版雙重照片曝光技術(shù)僅利用現(xiàn)有的光刻機(jī)設(shè)備即可生產(chǎn)20納米DDR3 DRAM，同時(shí)為下一代10納米級(jí)DRAM的量產(chǎn)做了核心技術(shù)儲(chǔ)備。電容器單元的介電層不僅超薄，而且前所未有的排列均衡，確保了基本存儲(chǔ)單元的優(yōu)越性能。

　　在這些新技術(shù)的基礎(chǔ)上，新一代20納米DDR3 DRAM的生產(chǎn)率比25納米DDR3 DRAM提高了30%以上，更比30納米級(jí)DDR3提高了超過一倍。由于DRAM芯片通過切割大小相同的晶圓制造而成，線的直徑越小，芯片就越小，同樣的材料和時(shí)間就能制作出更多芯片。基于20納米的DDR3 DRAM更大的優(yōu)點(diǎn)在于節(jié)省用電，電路越纖細(xì)，所耗電力越少，20納米DRAM模組的耗電量相比基于25納米DDR3降低了25%，從而可以為信息技術(shù)企業(yè)提供更優(yōu)質(zhì)的超節(jié)能綠色信息技術(shù)解決方案。

　　展示實(shí)力擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

　　三星電子此次量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM的另一成功要素是充分利用原有設(shè)備量產(chǎn)新產(chǎn)品。要開發(fā)新的微細(xì)工藝，置辦一系列生產(chǎn)設(shè)備，需要投入數(shù)千億韓元乃至數(shù)萬億韓元資金。但三星電子通過獨(dú)家改良勾畫半導(dǎo)體線路的光刻技術(shù)，找到了可以有效利用原有設(shè)備的途徑。而這對(duì)于半導(dǎo)體企業(yè)來說至關(guān)重要，因?yàn)槿请娮釉?jīng)的競(jìng)爭(zhēng)者爾必達(dá)、茂德、力晶、南亞科技都因?yàn)殡y以承受新工廠、新機(jī)器高達(dá)數(shù)十億美元的前期投入而不得不陸續(xù)退出市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

　　三星電子成功量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM之后，將進(jìn)一步拉大與競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)之間的差距，展示其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。市場(chǎng)調(diào)查企業(yè)DRAM eXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子2013年在全球DRAM市場(chǎng)的份額為36.7%，在Nand閃存市場(chǎng)的份額為38.4%，在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)穩(wěn)固占據(jù)著第一的位置。截至2000年代末，DRAM市場(chǎng)還是韓國(guó)企業(yè)、日本爾必達(dá)、德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)、美國(guó)美光、臺(tái)灣南亞與力晶等共同角逐的舞臺(tái)。其中，德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)和臺(tái)灣力晶等企業(yè)因?yàn)橛玫陀诔杀緝r(jià)的價(jià)格進(jìn)行“出血競(jìng)爭(zhēng)”，最終于2010年前后宣告破產(chǎn)。日本爾必達(dá)也在2013年破產(chǎn)，企業(yè)名稱由爾必達(dá)變?yōu)槊拦馊毡尽Ｄ壳?，在存?chǔ)芯片市場(chǎng)上，只有SK海力士和美國(guó)美光依然沒有放松追擊三星電子的腳步。

　　面向未來持續(xù)推進(jìn)研發(fā)

　　業(yè)界認(rèn)為，量產(chǎn)20納米級(jí)DRAM將使三星進(jìn)一步強(qiáng)化行業(yè)主導(dǎo)權(quán)。包括日本工廠在內(nèi)，美光2013年第四季度20納米生產(chǎn)工程的比重也只占整體的21%，大幅落后于三星電子（68%）和SK海力士（63%），差距在兩年以上。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)研究院研究報(bào)告顯示，相較于已經(jīng)停滯的電腦市場(chǎng)，量產(chǎn)的20納米DRAM將主攻成長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁的手機(jī)設(shè)備市場(chǎng)。隨著移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的擴(kuò)大，三星電子半導(dǎo)體部門的業(yè)績(jī)也會(huì)大幅上升。

　　三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營(yíng)銷部門負(fù)責(zé)人全永鉉表示，將低耗電的20納米DRAM用到電池容量有限的智能手機(jī)或平板電腦上，可以提高設(shè)備效率，由于售價(jià)相對(duì)較高，利潤(rùn)空間也相對(duì)較大。其將在包括電腦和移動(dòng)市場(chǎng)在內(nèi)的信息技術(shù)領(lǐng)域迅速站穩(wěn)腳跟，并進(jìn)一步占據(jù)主流地位。今后，三星電子將繼續(xù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手推出下一代大容量DRAM和綠色存儲(chǔ)方案，為世界信息技術(shù)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)做出貢獻(xiàn)。全永鉉表示，三星電子將在未來致力于研發(fā)10納米級(jí)的新一代DRAM產(chǎn)品，突破半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸，持續(xù)推進(jìn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的發(fā)展。